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符合RoHS标准
无铅

IMBG65R072M1H

采用紧凑型 SMD 封装的 SiC MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMBG65R072M1H
IMBG65R072M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    33 A
  • Ptot max
    140 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    72 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    D2PAK 7-pin
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMBG65R072M1HXTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，提高了设备的性能、稳健性和易用性。IMBG65R072M1H CoolSiC ™ MOSFET 650V 是一款紧凑型 SMD 7 引脚 SiC MOSFET，采用最先进的英飞凌 SiC 沟槽技术制造，用于中等功率应用。它经过优化，可实现最大的系统性能、紧凑性和可靠性。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源

应用

文档

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }