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现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMDQ75R004M2H

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CoolSiC ™ MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，4 mΩ
数据手册
封装
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IMDQ75R004M2H
IMDQ75R004M2H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    357 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    4 mΩ
  • RthJC max
    0.1 K/W
  • VDS max
    750 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    PG-HDSOP-22
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMDQ75R004M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC ™ MOSFET 750 V 第二代具有更好的开关性能、更低的损耗和增强的热管理。与第一代相比，其开关速度提高了 25%，品质因数提高了 35%，为工业应用提供了更高效、更紧凑、更可靠的系统。4 mΩ 的超低 RDS(on) 值使其成为电子保险丝和固态断路器等静态开关应用的理想选择。

特性

  • 100% 雪崩测试
  • 同类最佳的 RDS(on) x Qfr
  • 优秀 RDS(on) x Qoss & RDS(on) x QG
  • 独特的低 Crss/Ciss 和高 VGS(th)
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 驱动器源引脚可用
  • SMD 器件中具有一流的 RDS(on)

 

产品优势

  • 增强稳健性和可靠性
  • 硬开关效率卓越
  • 更高的开关频率
  • 抗寄生开启的鲁棒性
  • 一流的散热性能
  • 降低开关损耗

文档

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设计资源

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开发者社区

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