IMLT65R015M2H
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMLT65R015M2H

采用 TOLT 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2
数据手册
封装
评估板

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IMLT65R015M2H
IMLT65R015M2H
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    142 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.25 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLT
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMLT65R015M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V G2 利用 CoolSiC ™第二代一流的开关性能，此外还具备顶部冷却的所有优点。现在可以补充已经与 CoolSiC ™和 CoolMOS ™一起使用的 QDPAK，以实现完全分立的顶部冷却解决方案，从而获得更好的热性能、系统成本降低和简化以及更便宜的组装。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动（VGS(off)=0）
  • 更低的热阻
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 顶部冷却

产品优势

  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 简化组装和冷却
  • 水冷“就绪”
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 更低的杂散电感
  • 更好的门控
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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