现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMLT65R033M2H

TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V 结合了 CoolSiC ™ G2 的最佳性能和顶部冷却，以实现最高的系统功率密度。
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMLT65R033M2H
IMLT65R033M2H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    68 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    33 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLT
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMLT65R033M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
TOLT 中的 CoolSiC ™ MOSFET 分立 650 V 第二代 (G2) 利用 G2 一流的开关性能，同时实现顶部冷却的所有优势。作为 CoolSiC ™和 CoolMOS ™已提供的 Q-DPAK 封装的补充，现在可以实现完全分立的顶部冷却解决方案，从而获得更好的热性能、系统成本的降低和简化以及更便宜的组装。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动 (VGS_off=0)
  • 更低的热阻
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 顶部冷却封装

产品优势

  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 简化组装和冷却
  • 液体冷却“就绪”
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 更低的杂散电感
  • 更好的门控

文档

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设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }