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符合RoHS标准
无铅

IMT65R030M1H

采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V
数据手册
封装
评估板
每件.
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IMT65R030M1H
IMT65R030M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    142 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TOLL
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMT65R030M1HXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TOLL 封装的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、30 mΩ 利用英飞凌 SiC 技术的优势，实现更高密度的设计和更高的开关频率操作。TOLL 的小尺寸和低寄生特性使其能够高效且有效地利用电路板空间，并且能够以更高的频率驱动 MOSFET，从而达到更高的功率密度。TOLL 封装中提供的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、30 mΩ 与 CoolMOS ™和 CoolGaN ™ TOLL 供应相得益彰，使其成为众多设计中具有吸引力的一站式服务选择。与 D²PAK 相比，热阻抗的降低，加上创新的 .XT 互连，使 30 mΩ 产品适用于高功率设计。它非常适合高功率系统中新兴的图腾柱 PFC 拓扑以及高功率 DC-DC 或 AC-DC 级，具有苛刻的功率密度目标。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }