IMT65R048M1H
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMT65R048M1H

采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V
数据手册
封装
评估板
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IMT65R048M1H
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    63 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    48 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMT65R048M1HXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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采用 TOLL 封装的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、48 mΩ 利用英飞凌 SiC 技术的优势，实现更高密度的设计和更高的开关频率操作。TOLL 的小尺寸和低寄生特性使其能够高效且有效地利用电路板空间，并且能够以更高的频率驱动 MOSFET，从而达到更高的功率密度。TOLL 封装中提供的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、48 mΩ 与 CoolMOS ™和 CoolGaN ™ TOLL 可用性相辅相成，使其成为众多系统具有吸引力的一站式服务选择。与 D²PAK 相比，热阻抗的降低，加上创新的 .XT 互连，使 48 mΩ 产品适用于高功率设计和中功率系统，具有高效率目标。它非常适合高功率到中功率系统中新兴的图腾柱 PFC 拓扑。它还能提高高功率至中功率系统的 DC-DC 和 AC-DC 级的效率和密度。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源

应用

文档

设计资源

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