现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMW65R015M2H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 TO-247-4 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMW65R015M2H
IMW65R015M2H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    93 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    15 mΩ
  • RthJC max
    0.44 K/W
  • VDS max
    650 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMW65R015M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、15 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 最佳的抗开启效应能力
  • 改进的 .XT 封装互连

产品优势

  • 节省 BOM
  • 最大程度提高单位成本系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 易于使用
  • 与现有供应商完全兼容
  • 允许无风扇或散热器的设计

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }