IMZ120R350M1H
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMZ120R350M1H

CoolSiC ™ MOSFET 分立式 1200 V，采用 TO247-4 封装
数据手册
封装

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IMZ120R350M1H
IMZ120R350M1H
数据手册


商品详情

  • Ciss
    182 pF
  • Coss
    10 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    4.7 A
  • 最高 Ptot (@25°C)
    60 W
  • Qgd
    1.2 nC
  • QG (typ @18V)
    5.3 nC
  • RDS (on) (@18V)
    350 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    350 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    2.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247-4
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMZ120R350M1HXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、350 mΩ G1 采用 TO247-4 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

特性

  • 同类最佳的开关损耗
  • 同类最佳的传导损耗
  • 基准高阈值电压
  • Vth > 4 V
  • 0V 关断栅极电压，方便
  • 简单的栅极驱动
  • 宽栅极 - 源极电压范围
  • 坚固耐用且低损耗的体二极管
  • 适用于硬换向
  • 温度。印第安纳州关断开关损耗
  • 驱动器源极引脚
  • 优化的开关性能
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