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符合RoHS标准
无铅

IMZA75R060M2H

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CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，TO-247 封装，60 mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMZA75R060M2H
IMZA75R060M2H
每件.
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    28 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • 最高 VDS
    750 V
  • 封装
    PG-TO247-4
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMZA75R060M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
750V CoolSiC™ MOSFET 采用英飞凌先进的第二代碳化硅沟道技术，具有无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它启用了高性价比、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。

特性

  • 经过 100% 雪崩测试
  • 一流的 RDS(on) x Qfr
  • 出色的 RDS(on) x Qoss 和 RDS(on) x QG
  • 极低的Crss/Ciss ，VGS(th)高
  • 使用 .XT 技术改进了封装互连
  • 具有驱动源极引脚

产品优势

  • 增强的稳健性和可靠性
  • 更高的硬开关效率
  • 更高的开关频率
  • 抗寄生导通干扰能力
  • 一流的散热性能
  • 更低的开关损耗

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }