IPA040N08NM5S

IPA040N08NM5S

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA040N08NM5S）
数据手册

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IPA040N08NM5S
IPA040N08NM5S
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    75 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • 最高 IDpuls
    300 A
  • 最高 Ptot
    39 W
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.28

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V（IPA040N08NM5S）满足了提高系统效率同时降低系统成本的要求。它具有 4.0mOhm 的低导通电阻 RDS(on) 和低电压过冲。新的 TO-220 FullPAK 封装产品组合扩展针对电视、台式机、适配器和游戏应用进行了优化。OptiMOS ™功率 MOSFET 具有更高的功率密度和更高的效率，因此是同步整流的完美解决方案。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 无需 TO-220 封装中通常使用的电气隔离材料

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 产生的热量不会转移到印刷电路板
  • 产生的热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区