现货，推荐
符合RoHS标准

IPB013N06NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V，采用 D²PAK 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB013N06NF2S
IPB013N06NF2S
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    198 A
  • ID max
    198 A
  • IDpuls max
    792 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    203 nC
  • QG
    203 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.3 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    24-66 V
  • Budgetary Price €/1k
    1.64
受到推崇的
OPN
IPB013N06NF2SATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 60 V 具有 1.3 mOhm 的最低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性

  • 广泛的分销合作伙伴
  • 卓越的性价比
  • 适用于高和低开关频率
  • 标准通孔封装尺寸
  • 高额定电流
  • 可进行波峰焊

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 合适的产品
  • 支持各种各样的应用
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 更高的电流承载能力
  • 易于制造

应用

文档

文档

设计资源

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