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停产
已停产
符合RoHS标准

IPB083N15N5LF

停产
结合低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA)
数据手册
封装

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IPB083N15N5LF
IPB083N15N5LF
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    105 A
  • IDpuls max
    420 A
  • Ptot max
    179 W
  • Qgd
    31 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8.3 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.7 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4.1 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Wide SOA
  • Budgetary Price €/1k
    2.52
OPN
IPB083N15N5LFATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™线性 FET 是一种革命性的方法，可以避免导通电阻 (R DS(on)) 和线性模式能力之间的权衡——在增强模式 MOSFET 的饱和区内运行。它提供了沟槽 MOSFET 的最先进的 R DS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区。

特性

  • R DS(on) 和宽 (SOA)
  • 高最大值。脉冲电流
  • 高连续脉冲电流

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低传导损耗
  • 更快的启动速度和更高的浪涌电流

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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