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IPB083N15N5LF
停产
已停产
符合RoHS标准

IPB083N15N5LF

停产
结合低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA)
数据手册
封装

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IPB083N15N5LF
IPB083N15N5LF
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    105 A
  • 最高 IDpuls
    420 A
  • 最高 Ptot
    179 W
  • Qgd
    31 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.3 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.7 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • Special Features
    Wide SOA
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3.3 V 至 4.9 V
  • VGS(th)
    4.1 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.52

OPN
IPB083N15N5LFATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™线性 FET 是一种革命性的方法，可以避免导通电阻 (R DS(on)) 和线性模式能力之间的权衡——在增强模式 MOSFET 的饱和区内运行。它提供了沟槽 MOSFET 的最先进的 R DS(on) 以及经典平面 MOSFET 的宽安全工作区。

特性

  • R DS(on) 和宽 (SOA)
  • 高最大值。脉冲电流
  • 高连续脉冲电流

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低传导损耗
  • 更快的启动速度和更高的浪涌电流

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区