IPB339N20NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB339N20NM6

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 200 V 标准电平，采用 D2PAK 封装
数据手册
封装

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IPB339N20NM6
IPB339N20NM6
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    39 A
  • QG (typ @10V)
    15.9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    33.9 mΩ
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.32

推荐的
OPN
IPB339N20NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT
IPB339N20NM6 OptiMOS ™ 6 200 V 正在制定新的技术标准。它满足了高功率密度、高效率和高可靠性的需求。 OptiMOS ™ 6 200 V 技术旨在实现 LEV、叉车和无人机等电机驱动应用的最佳性能。新型 OptiMOS ™ 6 具有业界领先的 RDS(on)、改进的开关和电流共享能力，可实现高功率密度、更少的并联和出色的 EMI 性能。 改进的开关行为使 OptiMOS ™ 6 200 V 系列成为电信、服务器、太阳能或音频等任何类型开关应用的理想选择。此外，宽 SOA 与业界领先的 RDS(on) 相结合，使其完美适合 BMS 等静态开关应用。

特性

  • RDS(on) 降低 42%
  • Qrr(typ) 降低 89%
  • 二极管软化 3 倍以上
  • 电容线性度改善
  • SOA 改善
  • 无铅电镀，符合 RoHS 标准

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联需求减少
  • 并联时电流共享效果更佳
  • 环保

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区