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IPB60R090CFD7

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600V CoolMOS ™ CFD7 SJ MOSFET 集成快速体二极管，采用 D2PAK 封装，是谐振高功率拓扑的完美选择
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IPB60R090CFD7
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商品详情

  • ID max
    25 A
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • IDpuls max
    97 A
  • Ptot max
    124 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) max
    90 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    90 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    fast recovery diode
OPN
IPB60R090CFD7ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌采用 D2PAK 封装的 600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPB60R090CFD7 非常适合高功率 SMPS 中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，与竞争对手相比，它具有更低的栅极电荷、更好的关断行为以及高达 69% 的反向恢复电荷减少。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on) x Qg  和 EOSS
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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