IPB65R225C7

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数据手册

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数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    11 A
  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • 最高 IDpuls
    41 A
  • 最高 Ptot
    63 W
  • QG
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • 最高 RDS (on)
    225 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    225 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.99 K/W
  • Rth
    1.99 K/W
  • 最高 VDS
    650 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    highest performance
  • 预算价格€/1k
    0.87
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 系列是技术上的革命性进步，提供全球最低的 RDS(on)/封装，并且由于其低开关损耗，在整个负载范围内提高了效率。

特性

  • 650V 电压
  • 革命性的同类最佳 R DS(on)/封装
  • 降低输出电容 (Eoss) 中存储的能量
  • 降低栅极电荷 Qg
  • 通过使用更小的封装或减少零件数量来节省空间
  • 12 年超结技术制造经验

产品优势

  • 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高功率密度
  • 卓越的 CoolMOS ™品质
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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