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IPB65R225C7

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IPB65R225C7
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数据手册

商品详情

  • ID max
    11 A
  • ID (@25°C) max
    11 A
  • IDpuls max
    41 A
  • Ptot max
    63 W
  • QG
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) max
    225 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    225 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.99 K/W
  • Rth
    1.99 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    highest performance
  • 预算价格€/1k
    0.87
OPN
IPB65R225C7ATMA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 系列是技术上的革命性进步，提供全球最低的 RDS(on)/封装，并且由于其低开关损耗，在整个负载范围内提高了效率。

特性

  • 650V 电压
  • 革命性的同类最佳 R DS(on)/封装
  • 降低输出电容 (Eoss) 中存储的能量
  • 降低栅极电荷 Qg
  • 通过使用更小的封装或减少零件数量来节省空间
  • 12 年超结技术制造经验

产品优势

  • 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
  • 最低传导损耗/封装
  • 低开关损耗
  • 更好的轻载效率
  • 提高功率密度
  • 卓越的 CoolMOS ™品质

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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