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符合RoHS标准

IPB65R660CFDA

650V、N 通道、最大 660 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、CoolMOS ™ CFDA
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB65R660CFDA
IPB65R660CFDA
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    6 A
  • IDpuls max
    17 A
  • Ptot max
    62.5 W
  • QG (typ @10V) max
    20 nC
  • QG
    20 nC
  • RDS (on) max
    660 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    660 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2 K/W
  • Rth
    2 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th) min
    3.5 V
  • VGS(th) max
    4.5 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolMOS™ CFDA
  • Topology
    Full Bridge
  • Polarity
    N
  • Special Features
    automotive
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.67
受到推崇的
OPN
IPB65R660CFDAATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
650V CoolMOS ™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先的汽车级高压 CoolMOS ™功率 MOSFET。除了汽车行业所要求的众所周知的高质量和高可靠性特性之外，650V CoolMOS ™ CFDA 系列还提供集成的快速体二极管。

特性

  • CoolMOS ™ 3 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 汽车认证
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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