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IPB80P04P4L-08

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-40V、P 沟道、最大 7.9mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -P2
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IPB80P04P4L-08
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -80 A
  • IDpuls max
    -280 A
  • Ptot max
    75 W
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • QG (typ @10V) max
    92 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.9 mΩ
  • RthJC max
    2 K/W
  • VDS max
    -40 V
  • VGS(th)
    -1.7 V
  • Package
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-P2
  • Launch year
    2011
  • Polarity
    P
  • Currently planned availability until at least
    2027
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.63
OPN
IPB80P04P4L08ATMA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • P沟道逻辑电平增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 高端驱动无需电荷泵
  • 简单的接口驱动电路
  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 标准 TO 封装：252、263、220、262

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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