IPC218N06N3

IPC218N06N3

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPC218N06N3
IPC218N06N3
数据手册


商品详情

  • EAS/雪崩能量
    500 mJ
  • RDS (on)
    1.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    100 mΩ
  • 最高 VBRDSS
    60 V
  • VDS
    60 V
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • 厚度
    205
  • 技术
    OptiMOS™ 3
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
  • 芯片尺寸 (-) 范围
    3.7 mm² 至 5.9 mm²
  • 芯片尺寸 (Area)
    21.83 mm²
  • 芯片尺寸 (Y)
    3.7 mm
  • 芯片尺寸 (X)
    5.9 mm
  • 输出驱动器
    1
  • 预算价格€/1k
    2.05

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌最新一代功率 MOSFET —— OptiMOS ™ 40V 和 60V 针对服务器和台式机等开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外，这些设备是广泛工业应用的完美选择，包括电机控制、电信、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 与其他器件相比，R 值低 15%
  • 比同类器件高 31% FOM
  • 集成肖特基类二极管

产品优势

  • 最高的系统效率
  • 更少的并联需求
  • 更高的功率密度
  • 降低系统成本
  • 极低的电压过冲

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区