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IPC302N20NFD

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IPC302N20NFD
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商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    45 mJ
  • RDS (on)
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ
  • VBRDSS max
    200 V
  • VDS
    200 V
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • Thickness
    250
  • Technology
    OptiMOS™ 3
  • Polarity
    N
  • Mode
    Enhancement
  • Die Size (Y)
    4.5 mm
  • Die Size (Area)
    30.15 mm²
  • Die Size (X)
    6.7 mm
  • Output Drivers
    1
OPN
IPC302N20NFDX1SA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 --
封装名 Die Form
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™快速二极管 (FD) 200 V 和 250 V，提供具有独特性能的一流导通电阻 (RDS(on)) 功率 MOSFET。领先的 RDS(on) 和品质因数 (FOM) 特性可降低功率损耗、提高整体效率并增加功率密度。 200V 和 250V 产品系列针对 110 V AC 网络照明、HID 灯、DC-DC 转换器和 PoE 等应用进行了优化。

特性

  • 业界最低的 RDS(on)
  • “最低的 Qg 和 Qgd
  • “全球最低的 FOM
  • 快速开关二极管

产品优势

  • 最高效率
  • “最高功率密度
  • “最低电路板空间消耗
  • “更少并联需求
  • “系统成本改进
  • “易于设计的产品
  • “环保

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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