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IPD60R280CFD7

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英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
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IPD60R280CFD7
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数据手册

商品详情

  • Ciss
    807 pF
  • Coss
    14 pF
  • ID max
    9 A
  • ID (@25°C) max
    9 A
  • IDpuls max
    31 A
  • Ptot max
    51 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • QG
    18 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    280 mΩ
  • RDS (on) max
    280 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.43 K/W
  • Rth
    2.43 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    DPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    fast recovery diode
  • Budgetary Price €/1k
    0.67
OPN
IPD60R280CFD7ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg) 和改善的关断行为，与竞争产品相比，反向恢复电荷 (Qrr) 降低了 69%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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