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符合RoHS标准

IPD60R280PFD7S

采用 TO-252 DPAK 封装的 600V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPD60R280PFD7S
IPD60R280PFD7S
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12 A
  • ID max
    12 A
  • IDpuls max
    31 A
  • Ptot max
    51 W
  • QG
    15.3 nC
  • RDS (on) max
    280 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    280 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    DPAK
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.46
受到推崇的
OPN
IPD60R280PFD7SAUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌凭借 20 多年超结技术创新的开拓经验，开发的 600V CoolMOS™ PFD7 高压 MOSFET 系列在 600V 超结 (SJ) 技术领域设立了新标杆。该系列结合了同类最佳的性能和最先进的易用性，并采用集成式快速体二极管，确保器件坚固耐用，进而降低客户的 BOM。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • CoolMOS ™自 1998 年以来

产品优势

  • 更好的控制
  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • MOSFET 适合硬拓扑和谐振拓扑

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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