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符合RoHS标准

IPD60R460CE

停产

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商品详情

  • ID max
    13.1 A
  • ID (@25°C) max
    13.1 A
  • IDpuls max
    26 A
  • Ptot max
    74 W
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • QG
    28 nC
  • RDS (on) max
    460 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    460 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.7 K/W
  • Rth
    1.7 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.35
OPN
IPD60R460CEAUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolMOS™ CE 适用于硬开关和软开关应用。作为现代 SJ MOSFET,它具有低导通和开关损耗,可提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS ™ CE 结合了最佳 R DS(on) 和封装,适用于手机和平板电脑的低功率充电器。

特性

  • 典型值与最大值 RDS(on) 之间的裕度较小
  • 输出电容中存储的能量 (Eoss) 减少
  • 体二极管具有良好的耐用性,反向恢复电荷 (Qrr) 减少
  • 优化的集成 Rg

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 适用于硬开关和软开关
  • 易于控制的开关行为
  • 提高效率并随之降低功耗
  • 减少设计工作量
  • 易于使用

应用

文档

设计资源

开发者社区

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