IPD65R250C6

数据手册

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IPD65R250C6
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数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    16.1 A
  • ID max
    16.1 A
  • IDpuls max
    46 A
  • Ptot max
    208.3 W
  • QG
    44 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • RDS (on) max
    250 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    250 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.6 K/W
  • Rth
    0.6 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CoolMOS™ C6/E6系列将 Infineon 作为领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。这些器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。600V CoolMOS ™ C6 可替代 600V CoolMOS ™ C3650V CoolMOS ™ C6 可替代 650V CoolMOS ™ C3

特性

  • 易于控制开关行为
  • 由于品质因数 (R DS(on)* Q g 和 E oss) 非常低，损耗也非常低
  • 非常高的换向坚固性
  • 易于使用
  • 与 C3 相比，轻载效率更高
  • 凭借久经考验的 CoolMOS ™品质和高体二极管坚固性，实现了出色的可靠性
  • 与前几代 CoolMOS ™相比，性价比更高
  • 更高效、更紧凑、更轻便、更散热

产品优势

  • 提高功率密度
  • 提高可靠性
  • 通用部件可用于软开关和硬开关拓扑
  • 更佳的轻载效率
  • 提高硬开关应用的效率
  • 提高易用性
  • 减少由于 PCB 布局和封装寄生效应可能引起的振铃

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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