现货，推荐
符合RoHS标准

IPD70R600P7S

英飞凌对反激式拓扑的解答
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPD70R600P7S
IPD70R600P7S
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    8.5 A
  • ID (@25°C) max
    8.5 A
  • IDpuls max
    20.5 A
  • Ptot max
    43.1 W
  • Qgd
    3.7 nC
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • QG
    10.5 nC
  • RDS (on) max
    600 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    600 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.9 K/W
  • Rth
    2.9 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    DPAK
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.24
受到推崇的
OPN
IPD70R600P7SAUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
新型 700V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列专为满足当今以及特别是未来的反激式拓扑趋势而开发，与当今使用的超结技术相比，它提供了根本性的性能提升，可满足低功耗 SMPS 市场的需求，例如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS ™ P7 在以下方面能够最佳地适应目标应用：
  • 效率和热量
  • 易于使用
  • EMI 行为

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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