不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPD90N04S3-04

40 V、N沟道、3.6 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPD90N04S3-04
IPD90N04S3-04
每件.
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商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    90 A
  • 最高 IDpuls
    360 A
  • 最高 Ptot
    136 W
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    80 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.1 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最高 VGS(th)
    4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最低 VGS(th)
    2.1 V
  • 封装
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T
  • 推出年份
    2007
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2029
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.78
OPN
IPD90N04S304ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 低开关损耗和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 最佳总栅极电荷
  • 更小的驱动器输出级

应用

文档

文档

设计资源

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