IPDQ60R017S7
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPDQ60R017S7

最低的 RDS(on) *采用新型顶部冷却 QDPAK 封装的 600 V SJ MOSFET，非常适合低频开关应用和固态解决方案
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封装
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IPDQ60R017S7
IPDQ60R017S7
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商品详情

  • 最高 IDpuls
    491 A
  • 最高 Ptot
    500 W
  • QG (typ @10V)
    196 nC
  • QG
    196 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    17 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    17 mΩ
  • Special Features
    Slow switching
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Q-DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    6.88

OPN
IPDQ60R017S7XTMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
封装尺寸 750
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
视图替换
600 V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 系列针对低传导损耗进行了优化，并且在高压 SJ MOSFET 方面具有市场上最低的 RDS(on)。它具有前所未有的 RDS(on) x 价格品质因数，非常适合固态断路器和继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 优化传导性能
  • 提高热阻
  • 高脉冲电流能力
  • 用于大电流开关的开尔文源

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区