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符合RoHS标准
无铅

IPDQ60R065S7

低 RDS(on) 600V SJ MOSFET，采用高效的顶部冷却 QDPAK，非常适合低频开关应用和固态解决方案
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPDQ60R065S7
IPDQ60R065S7
每件.
数据手册

商品详情

  • IDpuls max
    126 A
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • QG
    51 nC
  • RDS (on) max
    65 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    65 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    Q-DPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    2.33
受到推崇的
OPN
IPDQ60R065S7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
S7 系列非常适合 MOSFET 的低频应用，如有源桥式整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、功率固态继电器和断路器。在这些设计中，S7 MOSFET 与 CoolMOS™ 的其他产品系列、IGBT、OptiMOS™ 低压和中压 MOSFET、电隔离栅极驱动器以及光伏隔离器 （PVI） 相辅相成。

特性

  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 优化传导性能
  • 提高热阻
  • 高脉冲电流能力
  • 用于高电流开关的开尔文源

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本

应用

文档

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设计资源

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