IPF009N04NF2S
现货，推荐
符合RoHS标准

IPF009N04NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 40 V，采用 D²PAK 7 引脚封装
数据手册
封装

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IPF009N04NF2S
IPF009N04NF2S
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    302 A
  • 最高 ID
    302 A
  • 最高 IDpuls
    1208 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    210 nC
  • QG
    210 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.9 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    0.9 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.4 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.27
推荐的
OPN
IPF009N04NF2SATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 40 V 具有 0.9 mOhm 的最低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性

  • 可从分销合作伙伴处获取
  • 卓越的性价比
  • 适用于高和低开关频率
  • 行业标准尺寸封装
  • 高额定电流
  • 可进行波峰焊

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 合适的产品
  • 支持各种各样的应用
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 提高电流承载能力
  • 易于制造

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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