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IPG20N04S4-08B

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IPG20N04S4-08B
IPG20N04S4-08B

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    China, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • 最高 IDpuls
    80 A
  • 最高 Ptot
    65 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.3 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最低 VGS(th)
    2 V
  • 最高 VGS(th)
    4 V
  • 封装
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 极性
    N+N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.49
OPN
IPG20N04S408BATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

开发者社区

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