不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPN80R1K2P7

效率和散热性能的基准
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPN80R1K2P7
IPN80R1K2P7
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    300 pF
  • Coss
    6 pF
  • ID max
    4.5 A
  • ID (@25°C) max
    4.5 A
  • IDpuls max
    11 A
  • Ptot max
    6.8 W
  • Qgd
    4.5 nC
  • QG
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    11 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1200 mΩ
  • RDS (on) max
    1200 mΩ
  • RthJA max
    160 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    SOT-223-3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.33
OPN
IPN80R1K2P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • 同类最佳的 FOM R DS(on) * E oss；降低的 Qg、C iss 和 C oss
  • 同类最佳的 DPAK R DS(on) 为 280mΩ
  • 同类最佳的 V (GS)th 为 3V 且最小 V (GS)th 变化为 ± 0.5V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性
  • 全面优化的产品组合

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比，效率提升 0.1% 至 0.6%，MOSFET 温度降低 2°C 至 8°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并减少现场退货
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }