IPN80R1K2P7
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPN80R1K2P7

效率和散热性能的基准
数据手册
封装
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IPN80R1K2P7
IPN80R1K2P7
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数据手册


商品详情

  • Ciss
    300 pF
  • Coss
    6 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    4.5 A
  • 最高 ID
    4.5 A
  • 最高 IDpuls
    11 A
  • 最高 Ptot
    6.8 W
  • Qgd
    4.5 nC
  • QG
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    11 nC
  • 最高 RDS (on)
    1200 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1200 mΩ
  • 最高 RthJA
    160 K/W
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    800 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SOT-223-3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.32

OPN
IPN80R1K2P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-SOT223-3
封装名 SOT-223-3
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
视图替换
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • 同类最佳的 FOM R DS(on) * E oss；降低的 Qg、C iss 和 C oss
  • 同类最佳的 DPAK R DS(on) 为 280mΩ
  • 同类最佳的 V (GS)th 为 3V 且最小 V (GS)th 变化为 ± 0.5V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性
  • 全面优化的产品组合

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比，效率提升 0.1% 至 0.6%，MOSFET 温度降低 2°C 至 8°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并减少现场退货
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调
文档

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