现货，推荐
符合RoHS标准

IPP023N10N5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封装
数据手册
封装

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IPP023N10N5
IPP023N10N5
数据手册

商品详情

  • Ciss
    12000 pF
  • Coss
    1810 pF
  • ID (@25°C) max
    120 A
  • IDpuls max
    480 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    168 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.3 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Rth
    0.4 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    TMT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.92
受到推崇的
OPN
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5XKSA1
产品状态 active and preferred active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
PG-TO220-3
封装名 TO220 N/A
包装尺寸 500 500
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 -
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
Infineon 的 80 V/100 V OptiMOS™ 5 工业功率 MOSFET 被设计用于电信和服务器电源的同步整流；它们也是太阳能、低压驱动和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容减少 44%
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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