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IPP60R040S7
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IPP60R040S7

停产
英飞凌性价比最高的超结 MOSFET，适用于 TO-220 封装的低频开关应用
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封装
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IPP60R040S7
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商品详情

  • 最高 IDpuls
    207 A
  • QG
    83 nC
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    40 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    40 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.63

OPN
IPP60R040S7XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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采用 TO-220 封装的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET (IPP60R040S7) 经过优化设计，可实现低传导损耗，具有最佳的 RDS(on) x 价格，适用于低开关频率应用，例如有源桥式整流器、浪涌继电器、PLC、高压直流线路、功率固态继电器和固态断路器。600V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 实现了更高的能源效率并降低了 BOM 费用。

特性

  • 优化传导性能
  • 提高热阻
  • 高脉冲电流能力

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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