在产
符合RoHS标准
无铅

IPP60R065S7

英飞凌性价比最高的超结 MOSFET，适用于 TO-220 封装的低频开关应用
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPP60R065S7
IPP60R065S7
每件.
数据手册

商品详情

  • IDpuls max
    126 A
  • QG
    51 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) max
    65 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    65 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.82
受到推崇的
OPN
IPP60R065S7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-220 封装的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET (IPP60R065S7) 经过优化设计，可实现低传导损耗，具有最佳的 RDS(on) x 价格，适用于低开关频率应用，如有源桥式整流器、浪涌继电器、PLC、高压直流线路、功率固态继电器和固态断路器。600V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 实现了更高的能源效率并降低了 BOM 费用。

特性

  • 优化传导性能
  • 提高热阻
  • 高脉冲电流能力

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }