现货，推荐
符合RoHS标准

IPT026N10N5

OptiMOS ™ 5 100V 功率 MOSFET 采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，可减少 60% 的空间，适用于电信和低压驱动应用
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT026N10N5
IPT026N10N5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    202 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    202 A
  • IDpuls max
    808 A
  • Ptot max
    214 W
  • QG (typ @10V)
    96 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.4
推荐的
OPN
IPT026N10N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 100V n 沟道功率 MOSFET IPT026N10N5 采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，非常适合高开关频率。该封装专为大电流应用而设计，例如 POL（负载点）、叉车、轻型电动汽车 (LEV) 和电信电源。与 D2PAK 7pin 封装相比，TOLL 节省了 60% 的空间，是需要最高效率、出色的 EMI 行为以及最佳热性能和节省空间的完美解决方案。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 输出电容减少 44%
  • 与上一代产品相比，RDS(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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