IPT60R180CM8
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPT60R180CM8

IPT60R180CM8 600 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管
数据手册
封装

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IPT60R180CM8
IPT60R180CM8
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 IDpuls
    48 A
  • QG
    17 nC
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    180 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    180 mΩ
  • Special Features
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.7 V 至 4.7 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.75

推荐的
OPN
IPT60R180CM8XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
600 V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS ™ 7 MOSFET 系列（包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7）的后续产品。它的栅极电荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%，关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%，反向恢复电荷 (Qrr) 与 CFD7 相比降低了 3%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 一流的 RDS(on)*A
  • 大幅减少损失
  • 出色的换向坚固性
  • 集成快速体二极管
  • .XT 互连
  • ESD 保护

产品优势

  • 提高功率密度
  • 易于使用且设计快速
  • 低振铃趋势
  • 简化热管理
  • 简化投资组合

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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