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符合RoHS标准

IPTC011N08NM5

TOLT 中的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有出色的热性能
数据手册
封装
每件.
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IPTC011N08NM5
IPTC011N08NM5
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    408 A
  • IDpuls max
    1632 A
  • Ptot max
    375 W
  • QG (typ @10V)
    178 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    TOLT (HDSOP-16)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    36-48 V
  • Budgetary Price €/1k
    3.28
受到推崇的
OPN
IPTC011N08NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPTC011N08NM5 是 TOLT 系列中 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 的一部分：TO 引线顶部冷却封装，具有卓越的热性能。这种创新封装与 OptiMOS ™ 5 技术的主要特性相结合，可实现 80 V 的一流产品以及高额定电流 (> 300 A)，适用于高功率密度设计。

特性

  • 低 RDS(on)
  • 高额定电流 >300 A
  • 顶部冷却
  • 负隔离
  • 无锡裸露焊盘
0

产品优势

  • 高效延长电池寿命
  • 高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 节省冷却系统
  • 最大限度地减少散热器的热阻

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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