现货，推荐
符合RoHS标准

IPTC017N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、1.7 mΩ、351 A，采用 TOLT 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPTC017N10NM5LF2
IPTC017N10NM5LF2
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    321 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    TOLT (HDSOP-16)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Wide SOA
推荐的
OPN
IPTC017N10NM5LF2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPTC017N10NM5LF2 是英飞凌一流的 OptiMOS ™ 5 线性 FET 2 100 V，采用 TO 引线顶部封装。提供业界最低的 RDS(on) 和 25˚C 下的宽 SOA。 IPTC017N10NM5LF2 结合了 OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术与 TOLT 封装，旨在提供最高功率密度，适用于浪涌电流保护应用，例如热插拔、电子保险丝以及电池管理系统 (BMS) 中的电池内保护。

特性

  • 宽安全操作区 (SOA)
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化传输特性

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进了栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }