IPTC017N10NM5LF2
现货，推荐
符合RoHS标准

IPTC017N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、1.7 mΩ、351 A，采用 TOLT 封装
数据手册
封装

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IPTC017N10NM5LF2
IPTC017N10NM5LF2
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    321 A
  • QG (typ @10V)
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.7 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    TOLT (HDSOP-16)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Wide SOA
推荐的
OPN
IPTC017N10NM5LF2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
封装尺寸 1800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IPTC017N10NM5LF2 是英飞凌一流的 OptiMOS ™ 5 线性 FET 2 100 V，采用 TO 引线顶部封装。提供业界最低的 RDS(on) 和 25˚C 下的宽 SOA。 IPTC017N10NM5LF2 结合了 OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术与 TOLT 封装，旨在提供最高功率密度，适用于浪涌电流保护应用，例如热插拔、电子保险丝以及电池管理系统 (BMS) 中的电池内保护。

特性

  • 宽安全操作区 (SOA)
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化传输特性

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进了栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享
文档

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