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IPTC030N12NM3

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OptiMOS ™功率 MOSFET 120 V，采用 TOLT 封装
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IPTC030N12NM3
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    238 A
  • 最高 IDpuls
    954 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • QG (typ @10V)
    158 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 VDS
    120 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TOLT (HDSOP-16)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    16 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    48-72 V
OPN
IPTC030N12NM3ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 OptiMOS ™功率 MOSFET 120 V 技术采用 TO 引线顶部冷却封装，可实现卓越的热性能。这种创新封装与 OptiMOS ™技术的主要特性相结合，可实现高功率密度设计。与 TOLL 系列相比，TOLT 封装除了具有高电流低剖面特性外，还具有顶部冷却的优势，使其成为寻求高热性能的应用的理想选择。

特性

  • 顶部冷却
  • 低 RDS (on)
  • 高额定电流，>300 A
  • 175°C 工作温度
  • 无锡裸露焊盘

产品优势

  • 高功率密度
  • 改进的热管理
  • 高系统效率，减少并联需求

文档

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合作伙伴解决方案

开发者社区

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