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符合RoHS标准
无铅

IPW60R024CFD7

600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET，采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑的完美选择
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IPW60R024CFD7
IPW60R024CFD7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    77 A
  • ID (@25°C) max
    77 A
  • IDpuls max
    360 A
  • Ptot max
    320 W
  • QG
    183 nC
  • QG (typ @10V)
    183 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    19 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fast recovery diode
  • 预算价格€/1k
    6.37
推荐的
OPN
IPW60R024CFD7XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPW60R024CFD7 非常适合高功率 SMPS 中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，与竞争对手相比，它具有更低的栅极电荷、更好的关断行为以及高达 69% 的反向恢复电荷减少。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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