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IPW60R170CFD7
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无铅

IPW60R170CFD7

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英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
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IPW60R170CFD7
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商品详情

  • Ciss
    1199 pF
  • Coss
    22 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 ID
    14 A
  • 最高 IDpuls
    51 A
  • 最高 Ptot
    75 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • QG
    28 nC
  • 最高 RDS (on)
    170 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    170 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.67 K/W
  • Rth
    1.67 K/W
  • Special Features
    fast recovery diode
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.3

OPN
IPW60R170CFD7XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg) 和改善的关断行为，与竞争产品相比，反向恢复电荷 (Qrr) 降低了 69%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案
文档

设计资源

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