在产
符合RoHS标准
无铅

IPW60R190P6

数据手册
封装
评估板

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IPW60R190P6
IPW60R190P6
数据手册

商品详情

  • ID max
    20.2 A
  • ID (@25°C) max
    20.2 A
  • IDpuls max
    57 A
  • Ptot max
    151 W
  • QG
    37 nC
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • RDS (on) max
    190 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    190 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.83 K/W
  • Rth
    0.83 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO247
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    1.23
受到推崇的
OPN
IPW60R190P6FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 CoolMOS ™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于设计。CoolMOS ™ P6 缩小了专注于提供终极性能的技术与更注重易用性的技术之间的差距。

特性

  • 降低栅极电荷 (Q g)
  • 提高 V th
  • 良好的体二极管耐用性
  • 优化的集成 R g
  • 从 50V/ns 开始改善 dv/dt
  • CoolMOS ™年以上的超结经验。

产品优势

  • 轻载效率提升
  • 软开关效率提升
  • 支持多种开关拓扑
  • 可控开关效率提升
  • 高稳健性和更高效率
  • 卓越的品质和可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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