IPZA60R024CM8
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IPZA60R024CM8

600 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管

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IPZA60R024CM8
IPZA60R024CM8

商品详情

  • 最高 IDpuls
    359 A
  • QG
    122 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    24 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    24 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
OPN
IPZA60R024CM8XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
600 V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS ™ 7 MOSFET 系列的后续产品,包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7。 与 CFD7 相比,它的栅极电荷 (Qg) 降低了 20%,关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%,反向恢复电荷 (Qrr) 与 CFD7 相比降低了 3%,并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 一流的 R DS(on)*A
  • 显著降低损耗
  • 卓越的换向稳定性
  • 集成快速体二极管
  • .XT 互连
  • ESD 保护

产品优势

  • 提高功率密度
  • 易于使用和快速设计
  • 低振铃趋势
  • 简化热管理
  • 简化产品组合

应用

文档

设计资源

开发者社区

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