IQD020N10NM5
现货，推荐
符合RoHS标准

IQD020N10NM5

OptiMOS ™功率 MOSFET 100 V 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装，具有业界领先的 RDS(on)。
数据手册
封装

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IQD020N10NM5
IQD020N10NM5
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    276 A
  • 最高 IDpuls
    1104 A
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.05 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.96
推荐的
OPN
IQD020N10NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
功率 MOSFET IQD020N10NM5 正常电平采用 PQFN 5x6 源极向下封装。它具有业界最低的 RDS(on)  2.0 mOhm，并结合出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如 SMPS、电池供电应用、电池管理和低压驱动器）的系统效率和功率密度更高。

特性

  • 尖端的 100 V 硅技术
  • 出色的 FOM
  • 改进的热性能
  • 超低寄生效应
  • 最大化芯片/封装比
  • 标准栅极尺寸

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速切换
  • 减少器件并联
  • 在 5x6 尺寸上实现最低的 RDS(on)
  • 提高热性能
  • 轻松进行热管理
  • 最佳切换性能
  • 行业标准封装

应用

文档

设计资源

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