现货,推荐
符合RoHS标准

IQDH29NE2LM5

OptiMOS ™功率 MOSFET 25 V 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装,具有业界领先的 RDS(on)
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQDH29NE2LM5
IQDH29NE2LM5
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    789 A
  • IDpuls max
    3156 A
  • QG (typ @4.5V)
    88 nC
  • QG (typ @10V)
    191 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.35 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.29 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 5x6 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.47
OPN
IQDH29NE2LM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
功率 MOSFET IQDH29NE2LM5 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装。它是业界最低的 RDS(on) ,为 0.29 mOhm,并具有出色的热性能,可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用(如 SMPS、电信电源以及高性能计算中的中间总线转换,如超大规模数据中心和 AI 服务器场)具有更高的系统效率和功率密度。

特性

  • 尖端的 25 V 硅技术
  • 出色的 FOM
  • 改进的热性能
  • 超低寄生效应
  • 最大化芯片/封装比
  • 标准栅极尺寸

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速切换
  • 减少器件并联
  • 在 5x6 尺寸上实现最低的 RDS(on)
  • 提高热性能
  • 轻松进行热管理
  • 最佳切换性能
  • 行业标准封装

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }