现货，推荐
符合RoHS标准

IQDH29NE2LM5

OptiMOS ™功率 MOSFET 25 V 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装，具有业界领先的 RDS(on)。
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQDH29NE2LM5
IQDH29NE2LM5
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    789 A
  • IDpuls max
    3156 A
  • QG (typ @4.5V)
    88 nC
  • QG (typ @10V)
    191 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.35 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.29 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 5x6 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.47
受到推崇的
OPN
IQDH29NE2LM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
功率 MOSFET IQDH29NE2LM5 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装。它是业界最低的 RDS(on) ，为 0.29 mOhm，并具有出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如 SMPS、电信电源以及高性能计算中的中间总线转换，如超大规模数据中心和 AI 服务器场）具有更高的系统效率和功率密度。

特性

  • 尖端的 25 V 硅技术
  • 出色的 FOM
  • 改进的热性能
  • 超低寄生效应
  • 最大化芯片/封装比
  • 标准栅极尺寸

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速切换
  • 减少器件并联
  • 在 5x6 尺寸上实现最低的 RDS(on)
  • 提高热性能
  • 轻松进行热管理
  • 最佳切换性能
  • 行业标准封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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