现货，推荐
符合RoHS标准

IQDH45N04LM6CGSC

OptiMOS ™功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 源极向下中心栅极 DSC 封装，具有极低的 RDS(on)
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封装
每件.
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IQDH45N04LM6CGSC
IQDH45N04LM6CGSC
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    611 A
  • QG (typ @10V)
    129 nC
  • QG (typ @4.5V)
    62 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.58 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.49 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 5x6 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
受到推崇的
OPN
IQDH45N04LM6CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CGSC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。中心门占用空间针对并行化进行了优化。此外，与包覆成型封装相比，双面冷却封装可消散五倍以上的功率。 这使得各种终端应用的系统效率和功率密度更高。

特性

  • 尖端 40 V 硅技术
  • 出色的 FOM
  • 改善热性能
  • 超低寄生效应
  • 最大化芯片/封装比
  • 中心门足迹
  • 行业标准软件包

产品优势

  • 最佳切换性能
  • 最小化传导损耗
  • 快速切换
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 所需设备并联更少
  • 5x6 尺寸上最低的 RDS(on)
  • 轻松实现热管理

文档

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