现货，推荐
符合RoHS标准

IQE006NE2LM5

OptiMOS ™ 25 V 低压功率 MOSFET，PQFN 3.3x3.3具有行业领先 RDS(on) 的 Source-Down 封装。
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IQE006NE2LM5
IQE006NE2LM5
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    4100 pF
  • Coss
    1700 pF
  • ID (@25°C) max
    298 A
  • IDpuls max
    1192 A
  • Ptot max
    89 W
  • QG (typ @4.5V)
    28.5 nC
  • QG (typ @10V)
    61.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.65 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.8 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Rth
    1.4 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.3 V to 2 V
  • VGS max
    16 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.66
推荐的
OPN
IQE006NE2LM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
创新型源极向下 OptiMOS ™低压功率 MOSFET 25 V 采用 PQFN3.3x3.3 封装尺寸，可轻松在与漏极向下解决方案相同的 PCB 布线中使用。在相同的 3.3x3.3mm 封装外形中，新款 Source-Down 通过将当前标准 RDS(on) 降低约 30% 而显示出行业基准 RDS(on) ，并且尺寸显著缩小。

特性

  • RDS(on) 降低高达 30%
  • 卓越的热管理选项
  • 优化的布局可能性
  • 两种尺寸版本可供选择

产品优势

  • 更高的电流能力
  • 最高的功率密度和性能
  • 缩小尺寸
  • 更小封装中的SuperSO8性能
  • 优化PCB寄生参数
  • 降低RthJA和RthJC
  • 更好的功率损耗传输
  • 双面冷却
  • 现有PCB的源极向下
  • 中心栅极优化并行化

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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