现货，推荐
符合RoHS标准

IQE050N08NM5

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 80 V，PQFN 3.3x3.3源极向下封装，具有行业领先的 RDS(on) 和卓越的热性能
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQE050N08NM5
IQE050N08NM5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    101 A
  • QG (typ @10V)
    34.6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.94
受到推崇的
OPN
IQE050N08NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 80 V PQFN 3.3x3.3Source-Down 具有 80 V 和 5.0 mOhm 的低 RDS(on) ，提供翻转的硅芯片，该芯片在组件内部倒置放置。这种调整允许源极电位（而不是漏极电位）通过导热垫连接到 PCB。因此，它具有多种优势，例如增强的热能力、提高的功率密度或改善的布局可能性。

特性

  • RDS(on)大幅降低30%
  • 与当前PQFN相比，RthJC降低
  • 提供标准栅极和中心栅极
  • 新的优化布局可能性

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }