IQE220N15NM5CG
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE220N15NM5CG

OptiMOS ™ 5 低压功率 MOSFET 150 V，PQFN 3.3x3.3源极向下中心栅极封装
数据手册
封装

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IQE220N15NM5CG
IQE220N15NM5CG
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    44 A
  • 最高 IDpuls
    176 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • QG (typ @10V)
    14.6 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    22 mΩ
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.9

推荐的
OPN
IQE220N15NM5CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE220N15NM5CG 属于 Source-Down 系列，其 RDS(on) 为 22 mOhm。Source-Down 技术引入了翻转硅片，该硅片在组件内部倒置放置。 它提供了增强的热能力以及改进的功率密度和布局可能性。新技术可以在两种不同的封装中找到：Standard-Gate 和 Center-Gate（针对并行化进行了优化）。

特性

  • RDS(on) 为 22 毫欧姆
  • 与 PQFN 封装相比，RthJC 更佳
  • 可提供中心栅极封装
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 最高的功率密度和性能
  • 卓越的热性能
  • 高效利用空间
  • 中心栅极可实现理想的并行化
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区