新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IQEH64NE2LM7UCGSC

新品
OptiMOS ™ 7 25 V 开关优化功率 MOSFET，适用于 PQFN 3.3x3.3 中的硬开关和软开关拓扑Source-Down 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQEH64NE2LM7UCGSC
IQEH64NE2LM7UCGSC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    348 A
  • IDpuls max
    1392 A
  • QG (typ @10V)
    48 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.64 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.98 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Hard-switching optimized
受到推崇的
OPN
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 7 25 V 提供了全新水平的应用优化，使数据中心、服务器、AI 等能够达到最佳性能。该产品组合有两种技术类型，包括针对硬开关和软开关拓扑优化的产品。 硬开关优化产品具有出色的米勒比、FOM 和 RDS(on)10，而针对软开关优化的产品则提供超低 RDS(on)45 和 FOMQg。

特性

  • 硬开关和软开关优化
  • 硬开关：米勒比率、FOM、RDS(on)10
  • 软开关.:RDS(on)45,FOMQ克
  • 额定结温+175°C
  • 源代码包变体
  • 中心浇口布局，DSC 包覆成型

产品优势

  • 针对特定应用的优化
  • 提高性能效率
  • 先进的感应开启坚固性
  • 降低驱动器和开关损耗
  • 降低传导损耗
  • 提高可靠性和功率密度
  • 卓越的散热能力
  • 减少封装寄生效应
  • 简化 MOSFET 并联

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }