在产
符合RoHS标准
无铅

IR2118S

600 V 单高侧栅极驱动器 IC，带单输入
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IR2118S
IR2118S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • Turn Off Propagation Delay
    105 ns
  • Turn On Propagation Delay
    125 ns
  • Voltage Class
    600 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.25 A
  • Output Current (Sink)
    0.5 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
受到推崇的
OPN
IR2118SPBF IR2118STRPBF
产品状态 active active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
包装尺寸 3800 2500
包装类型 TUBE TAPE & REEL
湿度 2 2
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 3800
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600 V 高压侧驱动器 IC，具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 欠压锁定
  • CMOS 施密特触发输入
  • 输出。与内部不同相。（IR2118）
  • 或与输入同相（IR2117）

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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